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EPC2035
EPC2035
Artikelnummer:
EPC2035
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
16772 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.EPC2035.pdf2.EPC2035.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 800µA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technologie:GaNFET (Gallium Nitride)
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:45 mOhm @ 1A, 5V
Verlustleistung (max):-
Verpackung:Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1099-6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:12 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:115pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:1.15nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):5V
Drain-Source-Spannung (Vdss):60V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1A (Ta)
Email:[email protected]

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