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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > TPW4R50ANH,L1Q
TPW4R50ANH,L1Q
TPW4R50ANH,L1Q
Modèle de produit:
TPW4R50ANH,L1Q
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
La description:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
6792 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
TPW4R50ANH,L1Q.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-DSOP Advance
Séries:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 46A, 10V
Dissipation de puissance (max):800mW (Ta), 142W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:TPW4R50ANH,L1Q(M
TPW4R50ANHL1QTR
Température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5200pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 92A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:92A (Tc)
Email:[email protected]

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