Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > R6031225HSYA
R6031225HSYA
Modèle de produit:
R6031225HSYA
Fabricant:
Powerex, Inc.
La description:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18528 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
R6031225HSYA.pdf
Enquête

introduction

We can supply R6031225HSYA, use the request quote form to request R6031225HSYA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6031225HSYA.The price and lead time for R6031225HSYA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6031225HSYA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tension - directe (Vf) (max) @ Si:2V @ 800A
Tension - inverse (Vr) (max):1200V
Package composant fournisseur:DO-205AB, DO-9
La vitesse:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):1µs
Emballage:Bulk
Package / Boîte:DO-205AB, DO-9, Stud
Température d'utilisation - Jonction:-45°C ~ 150°C
Type de montage:Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type de diode:Standard
Description détaillée:Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Courant - fuite, inverse à Vr:50mA @ 1200V
Courant - Rectifié moyenne (Io):250A
Capacité à Vr, F:-
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes R6031225HSYA

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 Enquête
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Enquête
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF Enquête
R6031435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 Enquête
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 Enquête
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Enquête
R60400-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS Enquête
R6031425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 Enquête
R6031235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 Enquête
R60400-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS Enquête
R6035KNZ1C9 Image R6035KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 Enquête
R6035ENZ1C9 Image R6035ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO247 Enquête
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 Enquête
R6035KNZC8 Image R6035KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF Enquête
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Enquête
R6035ENZC8 Image R6035ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF Enquête
R6030ENZC8 Image R6030ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF Enquête
R6030KNX Image R6030KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Enquête
R6031222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 Enquête
R60400-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS Enquête

Latest Nouvelles