Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > R6031225HSYA
R6031225HSYA
Modelo do Produto:
R6031225HSYA
Fabricante:
Powerex, Inc.
Descrição:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18528 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
R6031225HSYA.pdf
inquérito

Introdução

We can supply R6031225HSYA, use the request quote form to request R6031225HSYA pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number R6031225HSYA.The price and lead time for R6031225HSYA depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# R6031225HSYA.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:2V @ 800A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):1200V
Embalagem do dispositivo fornecedor:DO-205AB, DO-9
Velocidade:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):1µs
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura de Operação - Junção:-45°C ~ 150°C
Tipo de montagem:Chassis, Stud Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Atual - dispersão reversa @ Vr:50mA @ 1200V
Atual - rectificada média (Io):250A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para R6031225HSYA

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
R6031025HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 inquérito
R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 inquérito
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF inquérito
R6031435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 inquérito
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 inquérito
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM inquérito
R60400-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS inquérito
R6031425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 inquérito
R6031235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 inquérito
R60400-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS inquérito
R6035KNZ1C9 Image R6035KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 inquérito
R6035ENZ1C9 Image R6035ENZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO247 inquérito
R6030KNZ1C9 Image R6030KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247 inquérito
R6035KNZC8 Image R6035KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF inquérito
R6030MNX Image R6030MNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM inquérito
R6035ENZC8 Image R6035ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF inquérito
R6030ENZC8 Image R6030ENZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF inquérito
R6030KNX Image R6030KNX LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM inquérito
R6031222PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 inquérito
R60400-1STR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS inquérito

Latest Notícias