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R6031225HSYA
Modello di prodotti:
R6031225HSYA
fabbricante:
Powerex, Inc.
Descrizione:
DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
18528 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
R6031225HSYA.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Tensione - diretta (Vf) (max) a If:2V @ 800A
Tensione - inversa (Vr) (max):1200V
Contenitore dispositivo fornitore:DO-205AB, DO-9
Velocità:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie:-
Tempo di ripristino inverso (trr):1µs
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:DO-205AB, DO-9, Stud
Temperatura di funzionamento - Giunzione:-45°C ~ 150°C
Tipo montaggio:Chassis, Stud Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo:Standard
Descrizione dettagliata:Diode Standard 1200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
Corrente - Dispersione inversa a Vr:50mA @ 1200V
Corrente - raddrizzata media (Io):250A
Capacità a Vr, F:-
Email:[email protected]

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Parti relative per R6031225HSYA

Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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R6031022PSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 Inchiesta
R6030KNZC8 Image R6030KNZC8 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF Inchiesta
R6031435ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 Inchiesta
R6031035ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 Inchiesta
R6030KNXC7 Image R6030KNXC7 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM Inchiesta
R60400-1STRM Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS Inchiesta
R6031425HSYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 Inchiesta
R6031235ESYA Powerex, Inc. DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 Inchiesta
R60400-1CR Bussmann (Eaton) FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS Inchiesta
R6035KNZ1C9 Image R6035KNZ1C9 LAPIS Semiconductor MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247 Inchiesta
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