MT47H64M8CB-5E IT:B
- Modèle de produit:
- MT47H64M8CB-5E IT:B
- Fabricant:
- Micron Technology
- La description:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 64388 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- MT47H64M8CB-5E IT:B.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 15ns |
| Tension - Alimentation: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| La technologie: | SDRAM - DDR2 |
| Package composant fournisseur: | 60-FBGA |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 60-FBGA |
| Autres noms: | MT47H64M8CB-5E IT:B-ND MT47H64M8CB-5EIT:B |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Type de mémoire: | Volatile |
| Taille mémoire: | 512Mb (64M x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | DRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA |
| Fréquence d'horloge: | 200MHz |
| Numéro de pièce de base: | MT47H64M8 |
| Temps d'accès: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
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