MT47H64M8CB-5E IT:B
MT47H64M8CB-5E IT:B
Modello di prodotti:
MT47H64M8CB-5E IT:B
fabbricante:
Micron Technology
Descrizione:
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
64388 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
MT47H64M8CB-5E IT:B.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina:15ns
Tensione di alimentazione -:1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia:SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore:60-FBGA
Serie:-
imballaggio:Tray
Contenitore / involucro:60-FBGA
Altri nomi:MT47H64M8CB-5E IT:B-ND
MT47H64M8CB-5EIT:B
temperatura di esercizio:-40°C ~ 95°C (TC)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Tipo di memoria:Volatile
Dimensione della memoria:512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria:Parallel
Formato di memoria:DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata:SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA
Frequenza dell'orologio:200MHz
Numero di parte base:MT47H64M8
Tempo di accesso:600ps
Email:[email protected]

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