MT47H64M8CB-5E IT:B
- Número de pieza:
- MT47H64M8CB-5E IT:B
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descripción:
- IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 64388 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- MT47H64M8CB-5E IT:B.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 15ns |
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Tecnología: | SDRAM - DDR2 |
| Paquete del dispositivo: | 60-FBGA |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 60-FBGA |
| Otros nombres: | MT47H64M8CB-5E IT:B-ND MT47H64M8CB-5EIT:B |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 200MHz 600ps 60-FBGA |
| Frecuencia de reloj: | 200MHz |
| Número de pieza base: | MT47H64M8 |
| Tiempo de acceso: | 600ps |
| Email: | [email protected] |
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