Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXKN40N60C
IXKN40N60C
IXKN40N60C
Modèle de produit:
IXKN40N60C
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14442 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXKN40N60C.pdf
Enquête

introduction

We can supply IXKN40N60C, use the request quote form to request IXKN40N60C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXKN40N60C.The price and lead time for IXKN40N60C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXKN40N60C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.9V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):290W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 40A (Tc) 290W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXKN40N60C

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXKP10N60C5M Image IXKP10N60C5M IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP Enquête
IXKP24N60C5M Image IXKP24N60C5M IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP Enquête
IXKH35N60C5 Image IXKH35N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD Enquête
IXKF40N60SCD1 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 38A I4-PAC-5 Enquête
IXKC40N60C IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220 Enquête
IXKP13N60C5M Image IXKP13N60C5M IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP Enquête
IXKH70N60C5 Image IXKH70N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD Enquête
IXKP10N60C5 Image IXKP10N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB Enquête
IXKP20N60C5M Image IXKP20N60C5M IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP Enquête
IXKG25N80C IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 25A ISO264 Enquête
IXKP24N60C5 Image IXKP24N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 24A TO220AB Enquête
IXKH30N60C5 Image IXKH30N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD Enquête
IXKH47N60C Image IXKH47N60C IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Enquête
IXKN45N80C Image IXKN45N80C IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B Enquête
IXKH20N60C5 Image IXKH20N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD Enquête
IXKH24N60C5 Image IXKH24N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 24A TO247AD Enquête
IXKP20N60C5 Image IXKP20N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB Enquête
IXKN75N60C Image IXKN75N60C IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B Enquête
IXKP13N60C5 Image IXKP13N60C5 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB Enquête
IXKK85N60C Image IXKK85N60C IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 85A TO-264 Enquête

Latest Nouvelles