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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXKG25N80C
IXKG25N80C
Modèle de produit:
IXKG25N80C
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
37058 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXKG25N80C.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 2mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISO264™
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max):250W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:ISO264™
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:166nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 25A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISO264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

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