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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXKP10N60C5M
IXKP10N60C5M
IXKP10N60C5M
Modèle de produit:
IXKP10N60C5M
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
76123 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
IXKP10N60C5M.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 340µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220ABFP
Séries:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipation de puissance (max):-
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Super Junction
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 5.4A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:5.4A (Tc)
Email:[email protected]

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