HTNFET-D
- Modèle de produit:
- HTNFET-D
- La description:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 71337 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- HTNFET-D.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | 10V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-CDIP-EP |
| Séries: | HTMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipation de puissance (max): | 50W (Tj) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Autres noms: | 342-1078 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 55V |
| Description détaillée: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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