HTNFET-D
- Número de pieza:
- HTNFET-D
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 71337 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- HTNFET-D.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 8-CDIP-EP |
| Serie: | HTMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 50W (Tj) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Otros nombres: | 342-1078 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción detallada: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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