HTNFET-D
- Modello di prodotti:
- HTNFET-D
- fabbricante:
- Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 71337 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- HTNFET-D.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-CDIP-EP |
| Serie: | HTMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 50W (Tj) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Altri nomi: | 342-1078 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole 8-CDIP-EP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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