DTD113ECHZGT116
- Modèle de produit:
- DTD113ECHZGT116
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 78329 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 1.DTD113ECHZGT116.pdf2.DTD113ECHZGT116.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor Type: | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Package composant fournisseur: | SST3 |
| Séries: | Automotive, AEC-Q101 |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2): | 1 kOhms |
| Résistance - Base (R1): | 1 kOhms |
| Puissance - Max: | 200mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | DTD113ECHZGT116TR |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 200MHz |
| Description détaillée: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | - |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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