DTD113ECHZGT116
- Número de pieza:
- DTD113ECHZGT116
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descripción:
- 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 78329 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 1.DTD113ECHZGT116.pdf2.DTD113ECHZGT116.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Tipo de transistor: | NPN - Pre-Biased + Diode |
| Paquete del dispositivo: | SST3 |
| Serie: | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Base del emisor (R2): | 1 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 1 kOhms |
| Potencia - Max: | 200mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | DTD113ECHZGT116TR |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 7 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 200MHz |
| Descripción detallada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 33 @ 50mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | - |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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