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APTMC120AM08CD3AG
APTMC120AM08CD3AG
Modèle de produit:
APTMC120AM08CD3AG
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
60523 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
APTMC120AM08CD3AG.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:2.2V @ 10mA (Typ)
Package composant fournisseur:D3
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 200A, 20V
Puissance - Max:1100W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:D-3 Module
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9500pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:490nC @ 20V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) 1100W Chassis Mount D3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:250A (Tc)
Email:[email protected]

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