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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM20DHM08G
APTM20DHM08G
Modèle de produit:
APTM20DHM08G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
70463 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
1.APTM20DHM08G.pdf2.APTM20DHM08G.pdf
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introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 104A, 10V
Puissance - Max:781W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:208A
Email:[email protected]

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