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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > APTM20DHM08G
APTM20DHM08G
Modelo do Produto:
APTM20DHM08G
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
70463 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
1.APTM20DHM08G.pdf2.APTM20DHM08G.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 104A, 10V
Power - Max:781W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET:Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:208A
Email:[email protected]

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