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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > APTM20DHM08G
APTM20DHM08G
Modello di prodotti:
APTM20DHM08G
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
70463 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
1.APTM20DHM08G.pdf2.APTM20DHM08G.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:5V @ 5mA
Contenitore dispositivo fornitore:SP6
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 104A, 10V
Potenza - Max:781W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:SP6
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caratteristica FET:Standard
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 208A 781W Chassis Mount SP6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:208A
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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