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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > 2N7635-GA
2N7635-GA
2N7635-GA
Modèle de produit:
2N7635-GA
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
TRANS SJT 650V 4A TO-257
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
11938 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N7635-GA.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Package composant fournisseur:TO-257
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:415 mOhm @ 4A
Dissipation de puissance (max):47W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-257-3
Autres noms:1242-1146
Température de fonctionnement:-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:324pF @ 35V
type de FET:-
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):-
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:650V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4A (Tc) (165°C)
Email:[email protected]

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