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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > 2N7638-GA
2N7638-GA
2N7638-GA
Modèle de produit:
2N7638-GA
Fabricant:
GeneSiC Semiconductor
La description:
TRANS SJT 650V 8A TO276
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
23467 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Fiche technique:
2N7638-GA.pdf
Enquête

introduction

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Spécifications

État New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):-
La technologie:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Package composant fournisseur:TO-276
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:170 mOhm @ 8A
Dissipation de puissance (max):200W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-276AA
Autres noms:1242-1149
Température de fonctionnement:-55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 35V
type de FET:-
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):-
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:650V 8A (Tc) (158°C) 200W (Tc) Surface Mount TO-276
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Tc) (158°C)
Email:[email protected]

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