SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA485DJ-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Cantidad disponible:
60052 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SIA485DJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:2.6 Ohm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):15.6W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres:SIA485DJ-T1-GE3-ND
SIA485DJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:155pF @ 75V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:6.3nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:150V
Descripción detallada:P-Channel 150V 1.6A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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