SIA477EDJ-T1-GE3
SIA477EDJ-T1-GE3
Número de pieza:
SIA477EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descripción:
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
36686 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
SIA477EDJ-T1-GE3.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie:TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:14 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres:SIA477EDJ-T1-GE3-ND
SIA477EDJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2970pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:87nC @ 8V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:12V
Descripción detallada:P-Channel 12V 12A (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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