NE3516S02-A
- Número de pieza:
- NE3516S02-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 66269 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- NE3516S02-A.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 2V |
| Tensión - Calificación: | 4V |
| Tipo de transistor: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Paquete del dispositivo: | S02 |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | 165mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, Flat Leads |
| Figura de ruido: | 0.35dB |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganancia: | 14dB |
| Frecuencia: | 12GHz |
| Descripción detallada: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| Valoración actual: | 60mA |
| Corriente - Prueba: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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