NE3516S02-A
- 제품 모델:
- NE3516S02-A
- 기술:
- IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX
- 무연 여부 / RoHS 준수 여부:
- 무연 / RoHS 준수
- 사용 가능한 수량:
- 66269 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 데이터 시트:
- NE3516S02-A.pdf
소개
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규격
| 조건 | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| 유래 | Contact us |
| 전압 - 테스트: | 2V |
| 전압 - 정격: | 4V |
| 트랜지스터 유형: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| 제조업체 장치 패키지: | S02 |
| 연속: | - |
| 전력 - 출력: | 165mW |
| 포장: | Bulk |
| 패키지 / 케이스: | 4-SMD, Flat Leads |
| 잡음 지수: | 0.35dB |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 이득: | 14dB |
| 회수: | 12GHz |
| 상세 설명: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 10mA 12GHz 14dB 165mW S02 |
| 정격 전류: | 60mA |
| 전류 - 테스트: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
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