NE3521M04-T2-A
- Número de pieza:
- NE3521M04-T2-A
- Fabricante:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Descripción:
- IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 22418 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- NE3521M04-T2-A.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Voltaje - Prueba: | 2V |
| Tensión - Calificación: | 4V |
| Tipo de transistor: | N-Channel GaAs HJ-FET |
| Serie: | - |
| Alimentación - Salida: | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | NE3521M04-T2-ATR |
| Figura de ruido: | 0.85dB |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Ganancia: | 11dB |
| Frecuencia: | 20GHz |
| Descripción detallada: | RF Mosfet N-Channel GaAs HJ-FET 2V 6mA 20GHz 11dB |
| Valoración actual: | 70mA |
| Corriente - Prueba: | 6mA |
| Email: | [email protected] |
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