TSM60NB900CP ROG
- Artikelnummer:
- TSM60NB900CP ROG
- Hersteller:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 9854 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- TSM60NB900CP ROG.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 1.2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 36.8W (Tc) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | TSM60NB900CP ROGCT TSM60NB900CP ROGCT-ND TSM60NB900CPROGCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 36 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 315pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.6nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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