TSM60NB900CP ROG
TSM60NB900CP ROG
Modelo do Produto:
TSM60NB900CP ROG
Fabricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrição:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
9854 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Ficha de dados:
TSM60NB900CP ROG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Unused, Original Packing
Origem Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252, (D-Pak)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:900 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipação de energia (Max):36.8W (Tc)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:TSM60NB900CP ROGCT
TSM60NB900CP ROGCT-ND
TSM60NB900CPROGCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):3 (168 Hours)
Tempo de entrega padrão do fabricante:36 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:315pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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