TSM60NB900CP ROG
TSM60NB900CP ROG
Modello di prodotti:
TSM60NB900CP ROG
fabbricante:
TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
9854 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Scheda dati:
TSM60NB900CP ROG.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Unused, Original Packing
Origine Contact us
Vgs (th) (max) a Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:900 mOhm @ 1.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):36.8W (Tc)
imballaggio:Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:TSM60NB900CP ROGCT
TSM60NB900CP ROGCT-ND
TSM60NB900CPROGCT
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):3 (168 Hours)
Produttore tempi di consegna standard:36 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:315pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:9.6nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione dettagliata:N-Channel 600V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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