MMDFS6N303R2
- Artikelnummer:
- MMDFS6N303R2
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 22011 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MMDFS6N303R2.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | MMDFS6N303R2OS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 24V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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