MMDFS6N303R2
- Modello di prodotti:
- MMDFS6N303R2
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 22011 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Scheda dati:
- MMDFS6N303R2.pdf
introduzione
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Specifiche
| Condizione | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 35 mOhm @ 5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | MMDFS6N303R2OS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 600pF @ 24V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31.4nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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