Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 1A |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
Serie: | - |
Leistung - max: | 40W |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 10MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 300mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Email: | [email protected] |