MJE5730G
- Artikelnummer:
- MJE5730G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PNP 300V 1A TO220AB
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 54629 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MJE5730G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 300V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 200mA, 1A |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 40W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Andere Namen: | MJE5730GOS |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 10MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30 @ 300mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 1mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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