MJE4343G
- Artikelnummer:
- MJE4343G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 160V 16A TO247
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 10929 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MJE4343G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 160V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 3.5V @ 2A, 16A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-247 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 125W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Andere Namen: | MJE4343GOS |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 1MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 16A 1MHz 125W Through Hole TO-247 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 15 @ 8A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 750µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 16A |
| Email: | [email protected] |
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