EMD9T2R
- Artikelnummer:
- EMD9T2R
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 10212 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.EMD9T2R.pdf2.EMD9T2R.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | EMT6 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 10 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | EMD9T2RDKR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 68 @ 5mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Basisteilenummer: | *MD9 |
| Email: | [email protected] |
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