EMD9T2R
- Modelo do Produto:
- EMD9T2R
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 10212 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de dados:
- 1.EMD9T2R.pdf2.EMD9T2R.pdf
Introdução
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Especificações
| Condição | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origem | Contact us |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Tipo transistor: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | EMT6 |
| Série: | - |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 10 kOhms |
| Power - Max: | 150mW |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-563, SOT-666 |
| Outros nomes: | EMD9T2RDKR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Número da peça base: | *MD9 |
| Email: | [email protected] |
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