2SA1955FVATPL3Z
- Artikelnummer:
- 2SA1955FVATPL3Z
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 30862 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2SA1955FVATPL3Z.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 12V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | CST3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 100mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SC-101, SOT-883 |
| Andere Namen: | 2SA1955FVATPL3ZCT |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 130MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 300 @ 10mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
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