2SA1955FVATPL3Z
- Modèle de produit:
- 2SA1955FVATPL3Z
- Fabricant:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- La description:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 30862 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Fiche technique:
- 2SA1955FVATPL3Z.pdf
introduction
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Spécifications
| État | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origine | Contact us |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 12V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | CST3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 100mW |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | SC-101, SOT-883 |
| Autres noms: | 2SA1955FVATPL3ZCT |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 130MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 300 @ 10mA, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 400mA |
| Email: | [email protected] |
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