بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
S6MR DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4 تحقيق
GPA060A060MN-FD Image GPA060A060MN-FD IGBT 600V 120A 347W TO3PN تحقيق
GP2M010A065H Image GP2M010A065H MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220 تحقيق
GP1M015A050FH Image GP1M015A050FH MOSFET N-CH 500V 14A TO220F تحقيق
GP1M010A080FH Image GP1M010A080FH MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F تحقيق
S6K DIODE GEN PURP 800V 6A DO4 تحقيق
S6GR DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4 تحقيق
GPI040A060MN-FD Image GPI040A060MN-FD IGBT 600V 80A 231W TO3PN تحقيق
FST16045 Image FST16045 DIODE MODULE 45V 160A TO249AB تحقيق
GHXS030A120S-D1E Image GHXS030A120S-D1E MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227 تحقيق
FST100100 Image FST100100 DIODE MODULE 100V 100A TO249AB تحقيق
1N2130A Image 1N2130A DIODE GEN PURP 150V 60A DO5 تحقيق
FST12040 Image FST12040 DIODE MODULE 40V 120A TO249AB تحقيق
GP1M009A090FH Image GP1M009A090FH MOSFET N-CH 900V 9A TO220F تحقيق
FR40D02 DIODE GEN PURP 200V 40A DO5 تحقيق
GHIS040A120S-A2 Image GHIS040A120S-A2 IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227 تحقيق
GHIS040A120S-A1 Image GHIS040A120S-A1 IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227 تحقيق
FR12MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 تحقيق
GP2M004A065CG Image GP2M004A065CG MOSFET N-CH 650V 4A DPAK تحقيق
GSXD120A004S1-D3 Image GSXD120A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227 تحقيق
GHIS040A060S-A1 Image GHIS040A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227 تحقيق
GHIS025A120T1P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP2D006A060A Image GP2D006A060A DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2 تحقيق
GP1M005A050PH Image GP1M005A050PH MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK تحقيق
GP2M004A065PG Image GP2M004A065PG MOSFET N-CH 650V 4A IPAK تحقيق
1N3212R DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5 تحقيق
FR16KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4 تحقيق
GHXS015A120S-D1 Image GHXS015A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227 تحقيق
GKN26/04 DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 تحقيق
FR30D02 DIODE GEN PURP 200V 30A DO5 تحقيق
GSID200A120S3B1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GP1M020A060M Image GP1M020A060M MOSFET N-CH 600V 20A TO3P تحقيق
FR16BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 تحقيق
FR6B02 DIODE GEN PURP 100V 6A DO4 تحقيق
1N2128A DIODE GEN PURP 50V 60A DO5 تحقيق
FR20J02 DIODE GEN PURP 600V 20A DO5 تحقيق
GKR26/14 Image GKR26/14 DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 تحقيق
GHXS010A060S-D1E Image GHXS010A060S-D1E MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227 تحقيق
FST16030 Image FST16030 DIODE MODULE 30V 160A TO249AB تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية