بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GP2M010A065F Image GP2M010A065F MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F تحقيق
FR6BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 تحقيق
GSXD050A004S1-D3 Image GSXD050A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227 تحقيق
GSXD120A006S1-D3 Image GSXD120A006S1-D3 DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227 تحقيق
FR20KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 20A DO5 تحقيق
FR12G05 Image FR12G05 DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 تحقيق
GHIS060A060S-A1 Image GHIS060A060S-A1 IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227 تحقيق
GP2M007A080F Image GP2M007A080F MOSFET N-CH 800V 7A TO220F تحقيق
FR6BR02 DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 تحقيق
GP1M016A060F Image GP1M016A060F MOSFET N-CH 600V 16A TO220F تحقيق
FR30MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 30A DO5 تحقيق
FR16K05 Image FR16K05 DIODE GEN PURP 800V 16A DO4 تحقيق
S25Q DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO203AA تحقيق
FR12KR05 DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 تحقيق
S6J DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
FR6B05 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 تحقيق
FR40B05 DIODE GEN PURP 100V 40A DO5 تحقيق
1N3673A Image 1N3673A DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4 تحقيق
GP2M020A060N Image GP2M020A060N MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN تحقيق
GP2D010A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
1N3208 DIODE GEN PURP 50V 15A DO5 تحقيق
1N3767R DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5 تحقيق
GP1M013A050FH Image GP1M013A050FH MOSFET N-CH 500V 13A TO220F تحقيق
1N3891R DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 تحقيق
FR6J02 DIODE GEN PURP 600V 6A DO4 تحقيق
GP1M018A020PG Image GP1M018A020PG MOSFET N-CH 200V 18A IPAK تحقيق
GSXD060A010S1-D3 Image GSXD060A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 60A SOT227 تحقيق
GP1M005A050FH Image GP1M005A050FH MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F تحقيق
S25QR DIODE GEN REV 1.2KV 25A DO203AA تحقيق
S12JR DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 تحقيق
GP1M003A080FH Image GP1M003A080FH MOSFET N-CH 800V 3A TO220F تحقيق
S16B DIODE GEN PURP 100V 16A DO203AA تحقيق
GHXS030A120S-D3 Image GHXS030A120S-D3 DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227 تحقيق
GP1M016A025PG Image GP1M016A025PG MOSFET N-CH 250V 16A IPAK تحقيق
GSID100A120T2C1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
MBRT200150 Image MBRT200150 DIODE SCHOTTKY 150V 100A 3 TOWER تحقيق
GKN71/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5 تحقيق
GP2D016A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GP1M018A020CG Image GP1M018A020CG MOSFET N-CH 200V 18A DPAK تحقيق
GP2M005A060HG Image GP2M005A060HG MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220 تحقيق
GP2D060A120U DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
GKR26/12 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 تحقيق
FR20MR05 DIODE GEN PURP REV 1KV 20A DO5 تحقيق
FR20B02 DIODE GEN PURP 100V 20A DO5 تحقيق
GSXF100A120S1-D3 Image GSXF100A120S1-D3 DIODE FAST REC 1200V 100A SOT227 تحقيق
GP2D005A065A DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220-2 تحقيق
GKN26/08 Image GKN26/08 DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 تحقيق
S6G DIODE GEN PURP 400V 6A DO4 تحقيق
FR16GR02 DIODE GEN PURP REV 400V 16A DO4 تحقيق
GHXS010A060S-D3 Image GHXS010A060S-D3 DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية