라인 카드

Global Power Technologies Group

2007 년에 설립 된 Global Power Technologies Group, Inc. (이하 "GPTG")는 SiC (Silicon Carbide) 기술을 기반으로하는 제품에 전념 한 통합 개발 및 제조 회사입니다. 이 제품들은 저비용, 고효율 전력 생산, 변환 및 전송을 위해 첨단 기술이 필요한 미래의 전력 전자 및 에너지 산업의 기초가 될 것입니다.

제품 모델	기술	전망
S6MR	DIODE GEN PURP REV 1KV 6A DO4	문의
GPA060A060MN-FD	IGBT 600V 120A 347W TO3PN	문의
GP2M010A065H	MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220	문의
GP1M015A050FH	MOSFET N-CH 500V 14A TO220F	문의
GP1M010A080FH	MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F	문의
S6K	DIODE GEN PURP 800V 6A DO4	문의
S6GR	DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4	문의
GPI040A060MN-FD	IGBT 600V 80A 231W TO3PN	문의
FST16045	DIODE MODULE 45V 160A TO249AB	문의
GHXS030A120S-D1E	MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227	문의
FST100100	DIODE MODULE 100V 100A TO249AB	문의
1N2130A	DIODE GEN PURP 150V 60A DO5	문의
FST12040	DIODE MODULE 40V 120A TO249AB	문의
GP1M009A090FH	MOSFET N-CH 900V 9A TO220F	문의
FR40D02	DIODE GEN PURP 200V 40A DO5	문의
GHIS040A120S-A2	IGBT BUCK CHOP 1200V 80A SOT227	문의
GHIS040A120S-A1	IGBT BOOST CHOP 1200V 80A SOT227	문의
FR12MR05	DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4	문의
GP2M004A065CG	MOSFET N-CH 650V 4A DPAK	문의
GSXD120A004S1-D3	DIODE SCHOTTKY 45V 120A SOT227	문의
GHIS040A060S-A1	IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227	문의
GHIS025A120T1P2	SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES	문의
GP2D006A060A	DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2	문의
GP1M005A050PH	MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK	문의
GP2M004A065PG	MOSFET N-CH 650V 4A IPAK	문의
1N3212R	DIODE GEN PURP REV 400V 15A DO5	문의
FR16KR05	DIODE GEN PURP REV 800V 16A DO4	문의
GHXS015A120S-D1	MOD SBD BRIDGE 1200V 15A SOT227	문의
GKN26/04	DIODE GEN PURP 400V 25A DO4	문의
FR30D02	DIODE GEN PURP 200V 30A DO5	문의
GSID200A120S3B1	SILICON IGBT MODULES	문의
GP1M020A060M	MOSFET N-CH 600V 20A TO3P	문의
FR16BR02	DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4	문의
FR6B02	DIODE GEN PURP 100V 6A DO4	문의
1N2128A	DIODE GEN PURP 50V 60A DO5	문의
FR20J02	DIODE GEN PURP 600V 20A DO5	문의
GKR26/14	DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4	문의
GHXS010A060S-D1E	MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227	문의
FST16030	DIODE MODULE 30V 160A TO249AB	문의

기록 639

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