بطاقة خط

Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group

- شركة Global Power Technologies Group Inc. ("GPTG") التي تأسست في عام 2007 هي شركة تطوير وتصنيع متكاملة مخصصة لمنتجات تعتمد على تقنيات كربيد السيليكون (SiC). وستكون هذه المنتجات مؤسسية لصناعات الطاقة الكهربائية والإلكترونية في السنوات المقبلة حيث تحتاج إلى تقنيات متطورة لتكلفة منخفضة ، وتوليد طاقة عالية الكفاءة ، وتحويل ونقل.
صورة رقم القطعة وصف رأي
GDP24D060B Image GDP24D060B DIODE SCHOTTKY 600V 12A TO247-3 تحقيق
GP1M005A050H Image GP1M005A050H MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220 تحقيق
FR12K05 DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 تحقيق
1N3880R DIODE GEN PURP REV 100V 6A DO4 تحقيق
GHXS020A060S-D3 Image GHXS020A060S-D3 DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227 تحقيق
FR16B05 DIODE GEN PURP 100V 16A DO4 تحقيق
GSXD120A010S1-D3 Image GSXD120A010S1-D3 DIODE SCHOTTKY 100V 120A SOT227 تحقيق
1N3208R DIODE GEN PURP REV 50V 15A DO5 تحقيق
1N8033-GA Image 1N8033-GA DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276 تحقيق
S6JR DIODE GEN PURP REV 600V 6A DO4 تحقيق
FST12030 Image FST12030 DIODE MODULE 30V 120A TO249AB تحقيق
GHXS045A120S-D1 Image GHXS045A120S-D1 MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227 تحقيق
S12DR DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 تحقيق
GSXD080A018S1-D3 Image GSXD080A018S1-D3 DIODE SCHOTTKY 180V 80A SOT227 تحقيق
S40DR DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 تحقيق
1N1187 DIODE GEN PURP 300V 35A DO5 تحقيق
GDP60D120B Image GDP60D120B DIODE SCHOTTKY 1200V 30A TO247-3 تحقيق
1N3214R Image 1N3214R DIODE GEN PURP REV 600V 15A DO5 تحقيق
FR40BR05 DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5 تحقيق
S85QR Image S85QR DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 تحقيق
GP2M004A060CG Image GP2M004A060CG MOSFET N-CH 600V 4A DPAK تحقيق
GP1M009A050HS Image GP1M009A050HS MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 تحقيق
GSXD080A004S1-D3 Image GSXD080A004S1-D3 DIODE SCHOTTKY 45V 80A SOT227 تحقيق
GHIS075A120T2P2 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
MBRT20030R Image MBRT20030R DIODE MODULE 30V 200A 3TOWER تحقيق
GSID300A120S5C1 Image GSID300A120S5C1 IGBT MODULE 1200V 430A تحقيق
GHIS100A120S2B1 SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES تحقيق
GP1M008A050FG Image GP1M008A050FG MOSFET N-CH 500V 8A TO220F تحقيق
S6KR DIODE GEN PURP REV 800V 6A DO4 تحقيق
GSID200A170S3B1 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GSXF030A020S1-D3 Image GSXF030A020S1-D3 DIODE FAST REC 200V 30A SOT227 تحقيق
FST12035 Image FST12035 DIODE MODULE 35V 120A TO249AB تحقيق
1N3765 DIODE GEN PURP 700V 35A DO5 تحقيق
S12G DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 تحقيق
GPA030A120MN-FD Image GPA030A120MN-FD IGBT 1200V 60A 329W TO3PN تحقيق
GDP30D120B Image GDP30D120B DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-3 تحقيق
GDP48Y060B Image GDP48Y060B DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3 تحقيق
FR6AR02 DIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4 تحقيق
FR6DR02 DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4 تحقيق
GSID100A120T2P2 SILICON IGBT MODULES تحقيق
GSXD050A008S1-D3 Image GSXD050A008S1-D3 DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227 تحقيق
MBRT200200 Image MBRT200200 DIODE SCHOTTKY 200V 100A 3 TOWER تحقيق
FR30K05 DIODE GEN PURP 800V 30A DO5 تحقيق
FR40DR05 DIODE GEN PURP REV 200V 40A DO5 تحقيق
GP2M005A060CG Image GP2M005A060CG MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK تحقيق
S16K DIODE GEN PURP 800V 16A DO203AA تحقيق
GHIS080A120S1-E1 SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S تحقيق
S25JR DIODE GEN REV 600V 25A DO203AA تحقيق
1N1206A Image 1N1206A DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 تحقيق
FR20M05 DIODE GEN PURP 1KV 20A DO5 تحقيق
سجلات 639
سابق12345678910111213التالينهاية