بطاقة خط

Cree Wolfspeed

Cree Wolfspeed

- تعرف الآن قوة Cree وقسم RF باسم Wolfspeed، A Cree Company. تقوم Wolfspeed بتحرير الطاقة والأنظمة اللاسلكية من قيود السليكون عن طريق قيادة الابتكار وتسويق أنظمة الجيل التالي القائمة على كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
PTFB193404F-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB211503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFC270051M-V2-R1K IC AMP RF LDMOS تحقيق
PXAC182002FC-V2-R2 IC AMP RF LDMOS H-37248C-4 تحقيق
CAS300M17BM2 Image CAS300M17BM2 MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE تحقيق
PTFA080551E-V4-R250 Image PTFA080551E-V4-R250 IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2 تحقيق
C3M0065100J-TR 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET تحقيق
C4D30120D Image C4D30120D DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V 21.5A تحقيق
PTFB213208FV-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CG2H30070F Image CG2H30070F RF MOSFET HEMT 28V تحقيق
PTFA041501F-V4-R250 Image PTFA041501F-V4-R250 FET RF LDMOS 150W H37248-2 تحقيق
PXAC241702FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D03065E-TR Image C3D03065E-TR DIODE SCHOTTKY 650V 11.5A TO252 تحقيق
CG2H40025F Image CG2H40025F RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
CSD06060G Image CSD06060G DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2 تحقيق
PTFB183404F-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-6 تحقيق
PTVA084007NF-V1-R5 RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ تحقيق
PTRA087008NB-V1-R5 IC RF AMPLIFIER تحقيق
PTVA104501EH-V1-R250 Image PTVA104501EH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C4D10120E-TR Image C4D10120E-TR DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2 تحقيق
PTFB093608FV-V3-R2 FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6 تحقيق
PTFC262808FV-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D03060F Image C3D03060F DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-F2 تحقيق
PXAC260602FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB182503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB210801FA-V1-R250 Image PTFB210801FA-V1-R250 FET RF LDMOS 80W H37265-2 تحقيق
PTFC261402FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D03065E DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2 تحقيق
C2M1000170J Image C2M1000170J MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 تحقيق
CGHV22100F Image CGHV22100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 تحقيق
PTVA120252MT-V1-R1K RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON تحقيق
CSD01060E Image CSD01060E DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2 تحقيق
C3M0120090J Image C3M0120090J MOSFET N-CH 900V 22A تحقيق
PXAC261002FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTVA123501FC-V1-R0 Image PTVA123501FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-2 تحقيق
C2M0080120D Image C2M0080120D MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247 تحقيق
PTVA127002EV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-36275-4 تحقيق
CGH40006S Image CGH40006S RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP تحقيق
PXAC241702FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
C5D50065D Image C5D50065D DIODE SCHOTTKY 650V 100A TO247-3 تحقيق
CPW2-1200-S005B DIODE SCHOTTKY 1200V 5A تحقيق
PTVA123501FC-V1-R250 Image PTVA123501FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFC262157FH-V1-R0 RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
CG2H80015D-GP4 Image CG2H80015D-GP4 RF DISCRETE تحقيق
CGH60060D-GP4 Image CGH60060D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTFB201402FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB192503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CGHV1F006S Image CGHV1F006S RF MOSFET HEMT 40V 12DFN تحقيق
C4D08120E DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2 تحقيق
PTFC262808FV-V1 RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
سجلات 391
سابق12345678التالينهاية