بطاقة خط

Cree Wolfspeed

Cree Wolfspeed

- تعرف الآن قوة Cree وقسم RF باسم Wolfspeed، A Cree Company. تقوم Wolfspeed بتحرير الطاقة والأنظمة اللاسلكية من قيود السليكون عن طريق قيادة الابتكار وتسويق أنظمة الجيل التالي القائمة على كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
CGH27015F Image CGH27015F RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
CGHV14250F Image CGHV14250F RF MOSFET HEMT 50V 440162 تحقيق
PTFB212503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB241402F-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1 تحقيق
CGHV1J025D-GP4 Image CGHV1J025D-GP4 RF MOSFET HEMT 40V DIE تحقيق
PXAC261002FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
PTFC210202FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFA080551F-V4-R250 Image PTFA080551F-V4-R250 IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 تحقيق
CGH40035F Image CGH40035F RF MOSFET HEMT 28V 440193 تحقيق
GTVA263202FC-V1-R0 RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ تحقيق
C3D04060E-TR Image C3D04060E-TR DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252 تحقيق
PTFC260202FC-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37248-4 تحقيق
CPMF-1200-S080B MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE تحقيق
PXAC241002FC-V1-R2 RF FET LDMOS تحقيق
CGHV27015S Image CGHV27015S RF MOSFET HEMT 50V 12DFN تحقيق
CGHV50200F Image CGHV50200F RF MOSFET HEMT 40V 440217 تحقيق
PTRA097008NB-V1-R2 RF LDMOS FET 630W, 920 - 960MHZ تحقيق
CGH55030F2 Image CGH55030F2 RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
CGH55015F1 Image CGH55015F1 RF MOSFET HEMT 28V 440196 تحقيق
C3M0075120J-TR 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON تحقيق
CPW2-1200-S010B-FR1 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A تحقيق
CGHV60075D5-GP4 Image CGHV60075D5-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE تحقيق
C3D16065A Image C3D16065A DIODE SCHOTTKY 650V 39A TO220-2 تحقيق
C3D16060D Image C3D16060D DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 تحقيق
CPW2-1200-S010BP DIODE SCHOTTKY 1200V 10A تحقيق
C3D02060A Image C3D02060A DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2 تحقيق
CG2H80030D-GP4 Image CG2H80030D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTFB192503EL-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-33288-6 تحقيق
PTRA083818NF-V1-R5 IC RF LDMOS FET 6HBSOF تحقيق
C3D06065I Image C3D06065I DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2 تحقيق
CSD02060A Image CSD02060A DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2 تحقيق
C3D10065I Image C3D10065I DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 تحقيق
C3M0280090J Image C3M0280090J MOSFET N-CH 900V 11A تحقيق
C2M0045170D Image C2M0045170D MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 تحقيق
PTFC262157FH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3M0120090D Image C3M0120090D 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET تحقيق
PTRA093818NF-V1-R5 IC RF LDMOS FET 6HBSOF تحقيق
CPW3-1700-S025B-WP Image CPW3-1700-S025B-WP DIODE SILICON 1.7KV 25A CHIP تحقيق
PTVA120251EA-V2-R0 Image PTVA120251EA-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-36265-2 تحقيق
C3D02060F Image C3D02060F DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 تحقيق
PTFC262157SH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CAS120M12BM2 Image CAS120M12BM2 MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE تحقيق
PXAC192908FV-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D10060A Image C3D10060A DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 تحقيق
PTRA093302FC-V1-R2 IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 تحقيق
C2D05120E DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 تحقيق
CGH60008D-GP4 Image CGH60008D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTFA220041M-V4-R1K RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
C2M1000170D Image C2M1000170D MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 تحقيق
PTVA123501EC-V2-R250 Image PTVA123501EC-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
سجلات 391
سابق12345678التالينهاية