بطاقة خط

Cree Wolfspeed

Cree Wolfspeed

- تعرف الآن قوة Cree وقسم RF باسم Wolfspeed، A Cree Company. تقوم Wolfspeed بتحرير الطاقة والأنظمة اللاسلكية من قيود السليكون عن طريق قيادة الابتكار وتسويق أنظمة الجيل التالي القائمة على كربيد السيليكون ونيتريد الغاليوم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
C3D06060G-TR Image C3D06060G-TR DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2 تحقيق
PTFA041501E-V4-R250 Image PTFA041501E-V4-R250 FET RF LDMOS 150W H36248-2 تحقيق
PTVA120501EA-V1-R250 Image PTVA120501EA-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C3D02065E DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2 تحقيق
PXAC261212FC-V1 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFA220121M-V4-R1K RF MOSFET TRANSISTORS تحقيق
PTFA180701E-V4-R250 Image PTFA180701E-V4-R250 IC FET RF LDMOS 70W H-36265-2 تحقيق
PTFB072707FH-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288G-4 تحقيق
PXAC260602FC-V1-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C4D10120D Image C4D10120D DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
CGHV31500F Image CGHV31500F RF MOSFET HEMT 50V 440217 تحقيق
C3D03060A Image C3D03060A DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-2 تحقيق
PTFB182503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 تحقيق
CGHV96050F1 Image CGHV96050F1 RF MOSFET HEMT 40V 440210 تحقيق
C3D25170H Image C3D25170H DIODE SCHOTTKY 1.7KV 26.3A TO247 تحقيق
C4D20120A Image C4D20120A DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2 تحقيق
CAS300M12BM2 Image CAS300M12BM2 MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE تحقيق
PXAC243502FV-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37275-4 تحقيق
PTFB192503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4 تحقيق
CGHV35060MP RF MOSFET HEMT 50V 20TSSOP تحقيق
C3D08060G Image C3D08060G DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2 تحقيق
PTFA041501F-V4-R0 RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-2 تحقيق
PTFB210801FA-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37265-2 تحقيق
CGHV27100F Image CGHV27100F RF MOSFET HEMT 50V 440162 تحقيق
CCS050M12CM2 Image CCS050M12CM2 MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE تحقيق
C4D02120E-TR Image C4D02120E-TR DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9A TO252-2 تحقيق
GTVA263202FC-V1-R2 RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ تحقيق
C3M0120100K Image C3M0120100K MOSFET N-CH 1000V 22A TO247-4L تحقيق
CGH55030F1 Image CGH55030F1 RF MOSFET HEMT 28V 440166 تحقيق
C3M0075120J Image C3M0075120J MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 تحقيق
CGHV40050F RF MOSFET HEMT 50V 440193 تحقيق
CGHV40030F Image CGHV40030F RF MOSFET HEMT 50V 440166 تحقيق
E3M0065090D Image E3M0065090D E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M تحقيق
C3D10065E DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2 تحقيق
PXAD214218FV-V1-R2 IC AMP RF LDMOS H-37275G-6 تحقيق
C3D04060A Image C3D04060A DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-2 تحقيق
PTVA120251EA-V2-R250 Image PTVA120251EA-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
C2M1000170J-TR Image C2M1000170J-TR MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 تحقيق
PTFB213208FV-V2-R0 RF MOSFET TRANSISTORS RFP-LDMOS تحقيق
C3D12065A Image C3D12065A DIODE SCHOTTKY 650V 35A TO220-2 تحقيق
C4D20120D Image C4D20120D DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247 تحقيق
PTFB092707FH-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-37288L-4 تحقيق
C3M0065100J Image C3M0065100J MOSFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7 تحقيق
PXAC180602MD-V1-R500 IC AMP RF LDMOS تحقيق
CGHV60040D-GP4 Image CGHV60040D-GP4 RF MOSFET HEMT 50V DIE تحقيق
PTFB183404F-V2-R250 IC AMP RF LDMOS تحقيق
PTFB090901EA-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-36265-2 تحقيق
CGH60120D-GP4 Image CGH60120D-GP4 RF MOSFET HEMT 28V DIE تحقيق
PTVA093002ND-V1-R5 IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4 تحقيق
PTRA082808NF-V1-R5 RF LDMOS FET 280W, 790 - 820MHZ تحقيق
سجلات 391
سابق12345678التالينهاية