Kartu garis
| Gambar | Nomor bagian | Deskripsi | Melihat |
|---|---|---|---|
 |
CGH27015F | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | Penyelidikan |
 |
CGHV14250F | RF MOSFET HEMT 50V 440162 | Penyelidikan |
 |
PTFB212503FL-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
PTFB241402F-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4-1 | Penyelidikan |
 |
CGHV1J025D-GP4 | RF MOSFET HEMT 40V DIE | Penyelidikan |
|
PXAC261002FC-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Penyelidikan |
|
PTFC210202FC-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
 |
PTFA080551F-V4-R250 | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | Penyelidikan |
 |
CGH40035F | RF MOSFET HEMT 28V 440193 | Penyelidikan |
|
GTVA263202FC-V1-R0 | RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ | Penyelidikan |
 |
C3D04060E-TR | DIODE SCHOTTKY 600V 15.5A TO252 | Penyelidikan |
|
PTFC260202FC-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-37248-4 | Penyelidikan |
|
CPMF-1200-S080B | MOSFET N-CHANNEL 1200V 50A DIE | Penyelidikan |
|
PXAC241002FC-V1-R2 | RF FET LDMOS | Penyelidikan |
 |
CGHV27015S | RF MOSFET HEMT 50V 12DFN | Penyelidikan |
 |
CGHV50200F | RF MOSFET HEMT 40V 440217 | Penyelidikan |
|
PTRA097008NB-V1-R2 | RF LDMOS FET 630W, 920 - 960MHZ | Penyelidikan |
 |
CGH55030F2 | RF MOSFET HEMT 28V 440166 | Penyelidikan |
 |
CGH55015F1 | RF MOSFET HEMT 28V 440196 | Penyelidikan |
|
C3M0075120J-TR | 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON | Penyelidikan |
|
CPW2-1200-S010B-FR1 | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A | Penyelidikan |
 |
CGHV60075D5-GP4 | RF MOSFET HEMT 50V DIE | Penyelidikan |
 |
C3D16065A | DIODE SCHOTTKY 650V 39A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
C3D16060D | DIODE ARRAY SCHOTTKY 600V TO247 | Penyelidikan |
|
CPW2-1200-S010BP | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A | Penyelidikan |
|
C3D02060A | DIODE SCHOTTKY 600V 2A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
CG2H80030D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Penyelidikan |
|
PTFB192503EL-V1-R0 | IC AMP RF LDMOS H-33288-6 | Penyelidikan |
|
PTRA083818NF-V1-R5 | IC RF LDMOS FET 6HBSOF | Penyelidikan |
 |
C3D06065I | DIODE SCHOTTKY 650V 13A TO220-2 | Penyelidikan |
|
CSD02060A | DIODE SCHOTTKY 600V 3.5A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
C3D10065I | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 | Penyelidikan |
 |
C3M0280090J | MOSFET N-CH 900V 11A | Penyelidikan |
|
C2M0045170D | MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247 | Penyelidikan |
|
PTFC262157FH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
C3M0120090D | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET | Penyelidikan |
|
PTRA093818NF-V1-R5 | IC RF LDMOS FET 6HBSOF | Penyelidikan |
 |
CPW3-1700-S025B-WP | DIODE SILICON 1.7KV 25A CHIP | Penyelidikan |
 |
PTVA120251EA-V2-R0 | IC AMP RF LDMOS H-36265-2 | Penyelidikan |
 |
C3D02060F | DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO220-F2 | Penyelidikan |
|
PTFC262157SH-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
 |
CAS120M12BM2 | MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE | Penyelidikan |
|
PXAC192908FV-V1-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
|
C3D10060A | DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220-2 | Penyelidikan |
|
PTRA093302FC-V1-R2 | IC RF FET LDMOS 330W H-37248-4 | Penyelidikan |
|
C2D05120E | DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252 | Penyelidikan |
 |
CGH60008D-GP4 | RF MOSFET HEMT 28V DIE | Penyelidikan |
|
PTFA220041M-V4-R1K | RF MOSFET TRANSISTORS | Penyelidikan |
|
C2M1000170D | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 | Penyelidikan |
 |
PTVA123501EC-V2-R250 | IC AMP RF LDMOS | Penyelidikan |
catatan 391