Kartu garis

Cree Wolfspeed

- Kekuatan Cree dan divisi RF sekarang dikenal sebagai Wolfspeed, A Cree Company. Wolfspeed membebaskan kekuatan dan sistem nirkabel dari keterbatasan silikon dengan memimpin inovasi dan komersialisasi sistem generasi berikutnya berdasarkan silikon karbida dan galium nitrida.

Nomor bagian	Deskripsi	Melihat
PTFB193404F-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFB211503EL-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFC270051M-V2-R1K	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PXAC182002FC-V2-R2	IC AMP RF LDMOS H-37248C-4	Penyelidikan
CAS300M17BM2	MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE	Penyelidikan
PTFA080551E-V4-R250	IC FET RF LDMOS 55W H-36265-2	Penyelidikan
C3M0065100J-TR	1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET	Penyelidikan
C4D30120D	DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V 21.5A	Penyelidikan
PTFB213208FV-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
CG2H30070F	RF MOSFET HEMT 28V	Penyelidikan
PTFA041501F-V4-R250	FET RF LDMOS 150W H37248-2	Penyelidikan
PXAC241702FC-V1	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
C3D03065E-TR	DIODE SCHOTTKY 650V 11.5A TO252	Penyelidikan
CG2H40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	Penyelidikan
CSD06060G	DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2	Penyelidikan
PTFB183404F-V2-R0	IC AMP RF LDMOS H-37275-6	Penyelidikan
PTVA084007NF-V1-R5	RF LDMOS FET 370W, 755 - 805 MHZ	Penyelidikan
PTRA087008NB-V1-R5	IC RF AMPLIFIER	Penyelidikan
PTVA104501EH-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
C4D10120E-TR	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 33A TO252-2	Penyelidikan
PTFB093608FV-V3-R2	FET RF 2CH 65V 960MHZ H-37275G-6	Penyelidikan
PTFC262808FV-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
C3D03060F	DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO220-F2	Penyelidikan
PXAC260602FC-V1	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFB182503EL-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFB210801FA-V1-R250	FET RF LDMOS 80W H37265-2	Penyelidikan
PTFC261402FC-V1	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
C3D03065E	DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO252-2	Penyelidikan
C2M1000170J	MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247	Penyelidikan
CGHV22100F	RF MOSFET HEMT 50V 440162	Penyelidikan
PTVA120252MT-V1-R1K	RF MOSFET LDMOS DUAL 16SON	Penyelidikan
CSD01060E	DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2	Penyelidikan
C3M0120090J	MOSFET N-CH 900V 22A	Penyelidikan
PXAC261002FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTVA123501FC-V1-R0	IC AMP RF LDMOS H-37248-2	Penyelidikan
C2M0080120D	MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247	Penyelidikan
PTVA127002EV-V1-R0	IC AMP RF LDMOS H-36275-4	Penyelidikan
CGH40006S	RF MOSFET HEMT 28V 6QFN-EP	Penyelidikan
PXAC241702FC-V1-R0	IC AMP RF LDMOS H-37248-4	Penyelidikan
C5D50065D	DIODE SCHOTTKY 650V 100A TO247-3	Penyelidikan
CPW2-1200-S005B	DIODE SCHOTTKY 1200V 5A	Penyelidikan
PTVA123501FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFC262157FH-V1-R0	RF MOSFET TRANSISTORS	Penyelidikan
CG2H80015D-GP4	RF DISCRETE	Penyelidikan
CGH60060D-GP4	RF MOSFET HEMT 28V DIE	Penyelidikan
PTFB201402FC-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
PTFB192503EL-V1-R250	IC AMP RF LDMOS	Penyelidikan
CGHV1F006S	RF MOSFET HEMT 40V 12DFN	Penyelidikan
C4D08120E	DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2	Penyelidikan
PTFC262808FV-V1	RF MOSFET TRANSISTORS	Penyelidikan

catatan 391

Halaman saat ini:7/8Sebelumnya 1 2 3 4 5 678 Berikutnya Akhir