SIA777EDJ-T1-GE3
SIA777EDJ-T1-GE3
رقم القطعة:
SIA777EDJ-T1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
30612 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SIA777EDJ-T1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SIA777EDJ-T1-GE3, use the request quote form to request SIA777EDJ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIA777EDJ-T1-GE3.The price and lead time for SIA777EDJ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIA777EDJ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1V @ 250µA
تجار الأجهزة حزمة:PowerPAK® SC-70-6 Dual
سلسلة:TrenchFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
السلطة - ماكس:5W, 7.8W
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:PowerPAK® SC-70-6 Dual
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:15 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:2.2nC @ 5V
نوع FET:N and P-Channel
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V, 12V
وصف تفصيلي:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 4.5A 5W, 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.5A, 4.5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات