SIA777EDJ-T1-GE3
SIA777EDJ-T1-GE3
Parça Numarası:
SIA777EDJ-T1-GE3
Üretici firma:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Açıklama:
MOSFET N/P-CH 20V/12V SC70-6L
Kurşunsuz Durumu / RoHS Durumu:
Kurşunsuz / RoHS Uyumlu
Mevcut Miktarı:
30612 Pieces
Teslimat süresi:
1-2 days
Veri Sayfası:
SIA777EDJ-T1-GE3.pdf

Giriş

We can supply SIA777EDJ-T1-GE3, use the request quote form to request SIA777EDJ-T1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIA777EDJ-T1-GE3.The price and lead time for SIA777EDJ-T1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIA777EDJ-T1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Özellikler

Şart New & Unused, Original Packing
Menşei Contact us
Id @ Vgs (th) (Max):1V @ 250µA
Tedarikçi Cihaz Paketi:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Dizi:TrenchFET®
Id, VGS @ rds On (Max):225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Güç - Max:5W, 7.8W
paketleme:Tape & Reel (TR)
Paket / Kutu:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Çalışma sıcaklığı:-55°C ~ 150°C (TJ)
bağlantı Tipi:Surface Mount
Nem Hassasiyeti Seviyesi (MSL):1 (Unlimited)
Üretici Standart Teslimat Süresi:15 Weeks
Kurşunsuz Durum / RoHS Durumu:Lead free / RoHS Compliant
Giriş Kapasitesi (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs:2.2nC @ 5V
FET Tipi:N and P-Channel
FET Özelliği:Logic Level Gate
Kaynak Gerilim boşaltın (VDSlerin):20V, 12V
Detaylı Açıklama:Mosfet Array N and P-Channel 20V, 12V 1.5A, 4.5A 5W, 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Akım - 25 ° C'de Sürekli Boşaltma (Id):1.5A, 4.5A
Email:[email protected]

Hızlı Talep Alıntı

Parça Numarası
miktar
şirket
E-mail
Telefon
Yorumlar